Marktbericht zu Hochspannungshalbleitern aus Siliziumkarbid (SiC) 2025: Wachstumsfaktoren, technologische Innovationen und strategische Prognosen bis 2030

• Zusammenfassung und Marktübersicht
• Wichtige Technologietrends bei Hochspannungssiliziumkarbidgeräten
• Wettbewerbsumfeld und führende Akteure
• Marktwachstumsprognosen (2025–2030): CAGR, Umsatz- und Volumenanalyse
• Regionale Marktanalyse: Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt
• Herausforderungen, Risiken und Eintrittsbarrieren
• Chancen und strategische Empfehlungen
• Zukunftsausblick: Neue Anwendungen und langfristige Prognosen
• Quellen und Referenzen

Zusammenfassung und Marktübersicht

Hochspannungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) verwandeln schnell die Landschaft der Leistungselektronik und bieten wesentliche Vorteile gegenüber traditionellen Siliziumbauteilen. Diese Geräte, zu denen SiC-MOSFETs, Dioden und Module gehören, sind so konzipiert, dass sie effizient bei Spannungen typischerweise über 1.200 V arbeiten, und sind ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie Elektrofahrzeuge (EVs), erneuerbare Energiesysteme, industrielle Motorantriebe und Stromnetze.

Der globale Markt für HochspannungsiC-Geräte steht 2025 vor einem robusten Wachstum, angetrieben durch beschleunigende Elektrifizierungstrends und den dringenden Bedarf an Energieeffizienz. Laut Yole Group wird erwartet, dass der SiC-Gerätemarkt 2025 die 3 Milliarden Dollar-Marke überschreiten wird, wobei Hochspannungsegmente einen erheblichen Anteil aufgrund ihrer Verwendung in EV-Wechselrichtern, Schnellladeinfrastruktur und netzgebundenen Wechselrichtern für erneuerbare Energien haben. Die überlegenen Materialeigenschaften von SiC—wie höhere Durchbruchspannung, bessere thermische Leitfähigkeit und geringere Schaltverluste—ermöglichen es Systemdesignern, höhere Leistungsdichten zu erreichen, Kühlanforderungen zu reduzieren und die Gesamtzuverlässigkeit des Systems zu verbessern.

Schlüsselakteure der Branche, darunter Wolfspeed, STMicroelectronics, Infineon Technologies und onsemi, investieren erheblich in die Expansion der SiC-Waferproduktion und der Gerätefertigungskapazitäten, um der steigenden Nachfrage gerecht zu werden. Zum Beispiel hat STMicroelectronics bedeutende Investitionen in seine SiC-Lieferkette angekündigt, um das langfristige Wachstum zu sichern und die Bedürfnisse von Automobil- und Industrie-Kunden zu adressieren.

Der Automobilsektor bleibt der größte und am schnellsten wachsende Endmarkt für HochspannungsiC-Geräte, insbesondere da Automobilhersteller zu 800-V-EV-Architekturen übergehen, um schnelleres Laden und längere Reichweiten zu ermöglichen. Laut IDC wird erwartet, dass die Einführung von SiC in EV-Antriebssystemen 2025 beschleunigt wird, da führende OEMs SiC-basierte Wechselrichter und Onboard-Ladegeräte integrieren. Darüber hinaus setzt der Sektor erneuerbare Energien zunehmend SiC-Geräte in Solarwechselrichtern und Windkraftumrichtern ein, um die Effizienz zu erhöhen und die Systemgröße zu reduzieren.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der Markt für HochspannungsiC-Geräte im Jahr 2025 durch schnelle technologische Fortschritte, wachsende Produktionskapazitäten und starke Nachfrage aus der Automobil- und der erneuerbaren Energiewirtschaft gekennzeichnet ist. Diese Trends dürften eine kontinuierliche Markterweiterung und Innovation fördern und SiC als eine Grundlagentechnologie für die nächste Generation von Leistungselektronik positionieren.

Wichtige Technologietrends bei Hochspannungssiliziumkarbidgeräten

Hochspannungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) stehen an vorderster Front der Innovation in der Leistungselektronik und bieten bedeutende Vorteile gegenüber traditionellen Siliziumbauteilen in Bezug auf Effizienz, thermische Leistung und Spannungsbewältigung. Während der Markt im Jahr 2025 reift, prägen mehrere Schlüsseltechnologietrends die Entwicklung und Akzeptanz von HochspannungsiC-Geräten in Branchen wie Elektrofahrzeuge (EVs), erneuerbare Energien und industrielle Energiesysteme.

• Fortschritte in der 200-mm-Wafer-Technologie: Der Übergang von 150 mm zu 200 mm SiC-Wafern beschleunigt sich, angetrieben durch die Notwendigkeit für höhere Durchsatzraten und geringere Herstellungskosten. Führende Hersteller investieren in Produktionslinien für 200-mm-Wafer, die höhere Erträge und verbesserte Skaleneffekte ermöglichen. Dieser Wandel wird voraussichtlich die Kosten pro Ampere für SiC-Geräte erheblich senken und sie wettbewerbsfähiger gegenüber Siliziumalternativen machen (Wolfspeed).
• Durchbrüche in der Gerätearchitektur: Innovationen wie Trench-MOSFETs und gestapelte Cascode-Strukturen verbessern die Leistung von HochspannungsiC-Geräten. Diese Architekturen bieten einen niedrigeren Einschaltwiderstand, höhere Sperrspannungen (bis zu 3,3 kV und darüber hinaus) und verbesserte Zuverlässigkeit, die für anspruchsvolle Anwendungen wie Infrastruktur und Traktionswechselrichter entscheidend sind (STMicroelectronics).
• Integration von digitalen und analogen Steuerungen: Die Integration fortschrittlicher Gate-Treiber und digitaler Steuerungsschaltungen ermöglicht einen präziseren und effizienteren Betrieb von SiC-Geräten bei hohen Spannungen. Dieser Trend unterstützt die Entwicklung intelligenter Leistungsmodule (IPMs), welche SiC-MOSFETs mit eingebetteten Sensor- und Schutzfunktionen kombinieren, um das Systemdesign zu optimieren und die Sicherheit zu verbessern (Infineon Technologies AG).
• Verbesserte Zuverlässigkeits- und Qualifikationsstandards: Da SiC-Geräte in kritische Sektoren vordringen, konzentrieren sich Hersteller auf strenge Zuverlässigkeitsprüfungen und die Einhaltung internationaler Standards wie AEC-Q101 für Automobilanwendungen. Verbesserte Verpackungstechnologien, einschließlich gesintertem Silber und fortschrittlichen keramischen Substraten, steigern die Robustheit und das thermische Management von Geräten (onsemi).
• Expansion in ultra-hochspannungside Segmente: Die Entwicklung von SiC-Geräten, die für 10 kV und darüber ausgelegt sind, eröffnet neue Möglichkeiten in der Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HVDC) und großen erneuerbaren Energiesystemen. Diese ultra-hochspannungsiC-Module versprechen, die Systemgröße, das Gewicht und die Energiewverluste im Vergleich zu traditionellen Siliziumlösungen zu reduzieren (Cree, Inc.).

Kollektiv treiben diese Technologietrends die rasante Entwicklung und breitere Akzeptanz von HochspannungsiC-Geräten voran und positionieren sie als eine Grundbestandteil der nächsten Generation von Leistungselektronik im Jahr 2025 und darüber hinaus.

Wettbewerbsumfeld und führende Akteure

Das Wettbewerbsumfeld für Hochspannungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) im Jahr 2025 ist durch rasche Innovationen, strategische Partnerschaften und bedeutende Investitionen sowohl von etablierten Halbleitergiganten als auch von spezialisierten SiC-Technologiefirmen geprägt. Der Markt wird durch die wachsende Nachfrage nach effizienten Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Anwendungen angetrieben, in denen SiC-Geräte eine überlegene Leistung im Vergleich zu traditionellen Siliziumbauteilen bieten.

Schlüsselakteure, die den Markt für HochspannungsiC-Geräte dominieren, sind Infineon Technologies AG, onsemi, STMicroelectronics, Wolfspeed, Inc. und ROHM Co., Ltd.. Diese Unternehmen haben robuste Lieferketten, fortschrittliche Fertigungskapazitäten und umfangreiche geistige Eigentum-Portfolios etabliert, die es ihnen ermöglichen, einen Wettbewerbsvorteil zu erhalten.

• Infineon Technologies AG hat sein SiC-Produktportfolio erweitert und in neue Fertigungsanlagen, wie das Werk in Kulim, Malaysia, investiert, um der steigenden Nachfrage nach HochspannungsiC-MOSFETs und Dioden, insbesondere in den Automobil- und Industriesektoren, gerecht zu werden (Infineon Technologies AG).
• onsemi hat seine Position durch vertikale Integration gestärkt, indem es sich die langfristige SiC-Substratversorgung sichert und die Produktion in seinem Werk in Tschechien erhöht. Das EliteSiC-Portfolio des Unternehmens zielt auf wachstumsstarke Segmente wie Traktionswechselrichter für EVs und Schnellladeinfrastruktur ab (onsemi).
• STMicroelectronics investiert weiterhin in SiC-Kapazitäten mit einem Fokus auf Automobil- und Industriekunden. Die langfristigen Lieferverträge und Partnerschaften mit Automobil-OEMs unterstreichen das Engagement des Unternehmens für die Skalierung der SiC-Einführung (STMicroelectronics).
• Wolfspeed, Inc. bleibt ein Technologieführer und nutzt seine komplette SiC-Lieferkette sowie die größte SiC-Materialien-Fabrik in North Carolina. Der Fokus des Unternehmens auf 800V und höhere Spannungssysteme positioniert es an der Spitze der nächsten Generation von EV- und Netzanwendungen (Wolfspeed, Inc.).
• ROHM Co., Ltd. hat sein Angebot an SiC-Geräten ausgebaut und die Zusammenarbeit mit Automobil- und Industriepartnern vertieft, um die kommerzielle Einführung von HochspannungsiC-Modulen zu beschleunigen (ROHM Co., Ltd.).

Das Wettbewerbsumfeld wird durch neue Marktteilnehmer, Joint Ventures und regionale Initiativen, insbesondere in Asien und Europa, weiter geprägt, da Regierungen und Industrieakteure die Lokalisierung von SiC-Lieferketten anstreben und die Abhängigkeit von traditionellen Siliziumtechnologien verringern möchten. Infolgedessen wird erwartet, dass der Markt für HochspannungsiC-Geräte im Jahr 2025 dynamisch bleibt, während führende Akteure Größenordnungen, Innovation und strategische Allianzen nutzen, um aufkommende Chancen zu erfassen.

Marktwachstumsprognosen (2025–2030): CAGR, Umsatz- und Volumenanalyse

Der Markt für Hochspannungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) steht zwischen 2025 und 2030 vor einer robusten Expansion, angetrieben durch die beschleunigte Akzeptanz in Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und industrieller Leistungselektronik. Laut Prognosen der Yole Group wird erwartet, dass der globale SiC-Gerätemarkt zwischen 2025 und 2030 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von etwa 30 % erreichen wird, wobei die Hochspannungsegmente (≥1,2 kV) den gesamten SiC-Markt übertreffen werden, da sie eine entscheidende Rolle in hoch-effizienten, leistungsstarken Anwendungen spielen.

Die Umsatzprognosen deuten darauf hin, dass das Segment der HochspannungsiC-Geräte bis 2030 die 6 Milliarden Dollar-Marke überschreiten wird, gegenüber geschätzten 1,5 Milliarden Dollar im Jahr 2025. Dieser Anstieg wird auf die steigende Nachfrage nach SiC-MOSFETs und Dioden in EV-Traktionswechselrichtern, Schnellladeinfrastruktur und netzgebundenen Wechselrichtern für erneuerbare Energien zurückgeführt. MarketsandMarkets prognostiziert, dass der Automobilsektor der dominierende Umsatzbeitrag bleiben wird und über 60 % der Verkäufe von HochspannungsiC-Geräten bis 2030 ausmachen wird, da OEMs auf 800V- und höhere Architekturen umsteigen, um Effizienz und Reichweite zu verbessern.

In Bezug auf das Volumen wird prognostiziert, dass die Lieferungen hochspannungsSiC-Geräte von etwa 25 Millionen Einheiten im Jahr 2025 auf über 120 Millionen Einheiten bis 2030 wachsen werden. Dieses Volumenwachstum wird durch die rasante Elektrifizierung des Verkehrs und die Skalierung erneuerbarer Energieinstallationen, insbesondere in China, Europa und Nordamerika, untermauert. OMICS International hebt hervor, dass die Region Asien-Pazifik sowohl beim Umsatz als auch beim Volumen führen wird, angetrieben durch aggressive staatliche Politiken und Investitionen in EVs und die Modernisierung von Stromnetzen.

• CAGR (2025–2030): ~30 % für HochspannungsiC-Geräte
• Umsatz (2030): >6 Milliarden Dollar (von ~1,5 Milliarden Dollar im Jahr 2025)
• Volumen (2030): >120 Millionen Einheiten (von ~25 Millionen Einheiten im Jahr 2025)

Insgesamt steht der Markt für HochspannungsiC-Geräte vor exponentiellem Wachstum, wobei technologische Fortschritte, Erweiterungen der Lieferkette und politische Unterstützung als wichtige Faktoren für sowohl Umsatz- als auch Volumendynamik bis 2030 fungieren.

Regionale Marktanalyse: Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt

Der globale Markt für Hochspannungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) erlebt ein starkes Wachstum, wobei sich die regionalen Dynamiken durch unterschiedliche Industrialisierungsgrade, Elektrifizierung und politische Unterstützung gestalten. Im Jahr 2025 bieten Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und der Rest der Welt (RoW) jeweils unterschiedliche Chancen und Herausforderungen für die Annahme von SiC-Geräten.

Nordamerika bleibt ein Schlüsselinnovator, angetrieben durch starke Investitionen in Elektrofahrzeuge (EVs), erneuerbare Energien und die Modernisierung von Stromnetzen. Die Vereinigten Staaten profitieren insbesondere von der Präsenz führender SiC-Hersteller und eines reifen Automobilsektors. Bundesanreize und staatliche Vorgaben für saubere Energie beschleunigen den Einsatz von SiC-basierten Leistungselektronik in EVs und Solarwechselrichtern. Laut SEMI wird erwartet, dass die Nachfrage nach SiC-Geräten in Nordamerika bis 2025 mit einer CAGR von über 30 % wachsen wird, wobei die Automobil- und Industriebereiche führend sind.

Europa ist durch ehrgeizige Dekarbonisierungsziele und einen starken Fokus auf elektrifizierte Transporte gekennzeichnet. Das „Fit for 55“-Paket der Europäischen Union und nationale Politiken fördern Investitionen in die EV-Infrastruktur und die Integration erneuerbarer Energien, beides begünstigt HochspannungsiC-Geräte aufgrund ihrer Effizienz und thermischen Leistung. Große Automobil-OEMs und Tier-1-Zulieferer kooperieren zunehmend mit SiC-Technologieanbietern. Yole Group berichtet, dass der Marktanteil von SiC-Geräten in Europa bis 2025 voraussichtlich 25 % des globalen Umsatzes erreichen wird, wobei Deutschland, Frankreich und die nordischen Länder als primäre Wachstumsmotoren fungieren.

• Asien-Pazifik ist die größte und am schnellsten wachsende Region, angeführt von China, Japan und Südkorea. Chinas Dominanz in der EV-Produktion und seine aggressiven Pläne zur Modernisierung des Stromnetzes treiben die massive Nachfrage nach SiC-Geräten voran. Lokale Hersteller erweitern ihre Kapazitäten, und staatliche Subventionen unterstützen sowohl die Angebots- als auch die Nachfrageseite. Japan und Südkorea nutzen SiC für industrielle Automatisierung und Hochgeschwindigkeitszüge. Laut IC Insights wird Asien-Pazifik 2025 über 50 % der globalen Lieferungen siC-Geräte ausmachen.
• Rest der Welt (RoW) Märkte, einschließlich Lateinamerika und dem Nahen Osten, befinden sich in früheren Phasen der SiC-Akzeptanz. Das Wachstum wird hauptsächlich durch Projekte im Bereich erneuerbare Energien und aufkeimende EV-Märkte vorangetrieben. Während die Volumen moderat bleiben, wird erwartet, dass politische Veränderungen und Infrastrukturinvestitionen die Durchdringung von SiC-Geräten allmählich steigern.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass, während Asien-Pazifik in Bezug auf das Volumen führt, Nordamerika und Europa entscheidend für Innovation und hochwertige Anwendungen sind, was den Rahmen für einen dynamischen und regional vielfältigen Markt für HochspannungsiC-Geräte im Jahr 2025 festlegt.

Herausforderungen, Risiken und Eintrittsbarrieren

Der Markt für Hochspannungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) steht im Jahr 2025 vor einer komplexen Landschaft aus Herausforderungen, Risiken und Eintrittsbarrieren, die seine Wettbewerbsdynamik und Wachstumsbahn formen. Während die SiC-Technologie bedeutende Vorteile gegenüber traditionellem Silizium bietet—wie höhere Effizienz, bessere thermische Leitfähigkeit und die Fähigkeit, bei höheren Spannungen zu arbeiten—behindern mehrere Faktoren die weit verbreitete Akzeptanz und neue Markteintritte.

Technische und Fertigungsherausforderungen

• Materialqualität und Erträge: Die Herstellung von Hochleistungs-SiC-Wafern mit minimalen Defekten bleibt ein erhebliches Hindernis. Die Defektdichte in SiC-Substraten ist höher als bei Silizium, was zu geringeren Erträgen und erhöhten Kosten führt. Fortschrittliche Fertigungsprozesse sind erforderlich, um die Waferqualität zu verbessern, was erhebliche Investitionen in Forschung und Entwicklung und technische Expertise erfordert (Cree | Wolfspeed).
• Gerätezverlässigkeit: Die Sicherstellung der langfristigen Zuverlässigkeit von HochspannungsiC-Geräten ist entscheidend, insbesondere für Anwendungen im Automobil- und im Stromnetzbereich. Probleme wie die Zuverlässigkeit von Gate-Oxiden und die Degradation bei hohen elektrischen Feldern stellen fortdauernde Risiken dar (STMicroelectronics).

Kostenbarrieren

• Hohe Produktionskosten: Die Kosten für SiC-Wafer und die Gerätefertigung sind erheblich höher als für Silizium, sowohl aufgrund von Rohstoffkosten als auch von komplexen Verarbeitungsschritten. Diese Kostenprämie schränkt die Akzeptanz in preissensiblen Segmenten ein und stellt eine Barriere für neue Anbieter dar, denen die Skaleneffekte fehlen (Yole Group).
• Investitionskapital: Der Aufbau von Fertigungsanlagen für SiC-Geräte erfordert erhebliche Investitionen in spezielle Ausrüstungen und Infrastruktur in Reinräumen, wodurch die Eintrittsbarriere weiter erhöht wird (Infineon Technologies).

Markt- und Ökosystemrisiken

• Lieferkettenbeschränkungen: Die SiC-Lieferkette entwickelt sich noch, mit begrenzten Lieferanten von hochwertigen Substraten und Epitaxie. Jede Störung kann die Verfügbarkeit und Preisgestaltung von Geräten beeinträchtigen (Oxford Economics).
• Geistige Eigentumsbarrieren (IP): Führende Akteure besitzen umfangreiche IP-Portfolios, was es neuen Marktteilnehmern erschwert, ohne Verletzung bestehender Patente zu innovieren (onsemi).
• Kundenqualifikationszyklen: HochspannungsiC-Geräte, insbesondere für Automobil- und Industrieanwendungen, erfordern lange und rigorose Qualifizierungsprozesse, die die Markteinführungszeit für neue Anbieter verzögern (Renesas Electronics Corporation).

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der Markt für HochspannungsiC-Geräte zwar beträchtliches Wachstumspotenzial bietet, aber durch hohe technische, finanzielle und regulatorische Barrieren gekennzeichnet ist, die etablierte Akteure begünstigen und neue Anbieter im Jahr 2025 abschrecken.

Chancen und strategische Empfehlungen

Der Markt für Hochspannungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) steht im Jahr 2025 vor erheblichen Expansion, angetrieben durch die beschleunigte Akzeptanz von Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und industrieller Leistungselektronik. Die überlegenen Eigenschaften von SiC—wie höhere Durchbruchspannung, bessere thermische Leitfähigkeit und geringere Schaltverluste im Vergleich zu traditionellem Silizium—ermöglichen neue Anwendungen und Leistungsbenchmarks in diesen Sektoren.

Chancen:

• Elektrofahrzeuge und Ladeinfrastruktur: Der globale Übergang zur Elektrifizierung verstärkt die Nachfrage nach HochspannungsiC-MOSFETs und -Dioden in EV-Antriebssystemen und Schnellladestationen. SiC-Geräte ermöglichen höhere Effizienz und Kompaktheit in Onboard-Ladegeräten und Wechselrichtern, was die Ziele der Automobilhersteller für längere Reichweiten und schnelleres Laden direkt unterstützt (STMicroelectronics).
• Integration erneuerbarer Energien: Die Fähigkeit von SiC, hohe Spannungen und Temperaturen zu handhaben, macht es ideal für Solarwechselrichter und Windturbinenumrichter, wo Effizienz und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind. Mit dem Wachstum globaler erneuerbarer Installationen wächst auch der adressierbare Markt für SiC-basierte Lösungen (Infineon Technologies).
• Industrielle und Netz-Anwendungen: HochspannungsiC-Geräte werden zunehmend in industriellen Motorantrieben, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und intelligenter Netz-Infrastruktur eingesetzt, wo sie Energieeinsparungen und Systemminiaturisierung erzielen (Wolfspeed).

Strategische Empfehlungen:

• Investieren in vertikale Integration: Unternehmen sollten sich die SiC-Waferversorgung sichern und in die interne Epitaxie und Gerätefertigung investieren, um Lieferkettenrisiken zu mindern und Kosten zu kontrollieren, da die Angebotsengpässe eine Herausforderung darstellen (onsemi).
• Fokus auf anwendungsspezifische Lösungen: Die Anpassung der Eigenschaften von SiC-Geräten an Zielanwendungen—wie Automobilqualität oder netzwichtige Spannungswerte—kann Angebote differenzieren und Premium-Marktsegmente erfassen.
• Zusammenarbeit entlang der Wertschöpfungskette: Strategische Partnerschaften mit Automobilherstellern, Integratoren erneuerbarer Energien und industriellen OEMs können die Gewinnung von Designs beschleunigen und sicherstellen, dass sie mit den sich entwickelnden technischen Anforderungen übereinstimmen.
• Forschung und Entwicklung für nächstgen Taiongeräte ausbauen: Fortdauernde Innovation bei Gerätearchitekturen (z. B. Trench-MOSFETs, fortschrittliche Verpackung) wird entscheidend sein, um die Leistungsspitze aufrechtzuerhalten und aufkommende Hochspannung Anwendungen anzusprechen.

Zukunftsausblick: Neue Anwendungen und langfristige Prognosen

Mit Blick auf 2025 und darüber hinaus wird der zukünftige Ausblick für Hochspannungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) durch eine rasche Expansion in neue Anwendungen und robuste langfristige Wachstumsprognosen geprägt. Die überlegenen Materialeigenschaften von SiC—wie höhere Durchbruchspannung, bessere thermische Leitfähigkeit und geringer Schaltverluste—treiben seinen Einsatz in Sektoren voran, in denen Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.

Eine der bedeutendsten neuen Anwendungen ist in den Antriebssystemen und Ladeinfrastrukturen von Elektrofahrzeugen (EV). Da Automobilhersteller die Übergang zur Elektrifizierung beschleunigen, werden SiC-basierte Wechselrichter und Onboard-Ladegeräte zunehmend wegen ihrer Fähigkeit präferiert, Energiewverluste zu reduzieren und schnelleres Laden zu ermöglichen. Laut STMicroelectronics können SiC-Geräte die Reichweite von EVs um bis zu 10 % verbessern und die Ladezeiten reduzieren, was sie zu einem entscheidenden Katalysator für die nächste Generation von Fahrzeugen macht.

Erneuerbare Energiesysteme, insbesondere Solarwechselrichter und Windkraftumrichter, stehen auch vor dem Nutzen von HochspannungsiC-Technologie. Die Fähigkeit, bei höheren Spannungen und Temperaturen zu arbeiten, ermöglicht kompaktere, effizientere und zuverlässigere Leistungsgeregelte Systeme. Infineon Technologies prognostiziert, dass die Akzeptanz von SiC in Solar- und Energiespeicheranwendungen beschleunigt wird, während Netzbetreiber höhere Effizienz und niedrigere Gesamtbetriebskosten fordern.

Industrielle Anwendungen, einschließlich Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HVDC), stellen ein weiteres Wachstumsfeld dar. Der Einsatz von SiC-Geräten in diesen Bereichen wird erwartet, um die Systemleistung zu verbessern und die Wartungskosten insbesondere in rauen oder hochbelasteten Umgebungen zu reduzieren.

Marktforscher prognostizieren robustes langfristiges Wachstum für den Markt der HochspannungsiC-Geräte. Yole Group schätzt, dass der globale SiC-Gerätemarkt bis 2027 die 6 Milliarden Dollar-Marke überschreiten wird, wobei die Hochspannungsegmente (über 1.200 V) einen erheblichen Anteil ausmachen werden, aufgrund ihrer zunehmenden Nutzung in Automobil-, Industrie- und Energiesektoren. Die Lieferkette entwickelt sich ebenfalls weiter, wobei große Akteure wie onsemi und Wolfspeed erheblich in die SiC-Waferproduktion und die Gerätefertigung investieren, um den erwarteten Bedarf zu decken.

Zusammenfassend wird die Zukunft der HochspannungsiC-Geräte durch Diversifizierung in neue Anwendungen, technologische Fortschritte und eine starke Marktdynamik gekennzeichnet. Da Industrien die Energieeffizienz und Nachhaltigkeit priorisieren, wird SiC eine entscheidende Rolle beim globalen Übergang zu elektrischen und erneuerbaren Energiesystemen spielen.

Quellen und Referenzen

• Wolfspeed
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies
• IDC
• Cree, Inc.
• ROHM Co., Ltd.
• STMicroelectronics
• MarketsandMarkets
• OMICS International
• IC Insights
• Oxford Economics