Rapporto sul Mercato dei Dispositivi in Carburo di Silicio (SiC) ad Alta Tensione 2025: Fattori di Crescita, Innovazioni Tecnologiche e Previsioni Strategiche fino al 2030

• Sintesi Esecutiva & Panoramica del Mercato
• Tendenze Tecnologiche Chiave nei Dispositivi in Carburo di Silicio ad Alta Tensione
• Panorama Competitivo e Attori Principali
• Previsioni di Crescita del Mercato (2025–2030): CAGR, Analisi dei Ricavi e dei Volumi
• Analisi del Mercato Regionale: Nord America, Europa, Asia-Pacifico e Resto del Mondo
• Sfide, Rischi e Barriere all’Entrata nel Mercato
• Opportunità e Raccomandazioni Strategiche
• Prospettive Future: Applicazioni Emergenti e Proiezioni a Lungo Termine
• Fonti & Riferimenti

Sintesi Esecutiva & Panoramica del Mercato

I dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione stanno rapidamente trasformando il panorama dell’elettronica di potenza, offrendo vantaggi significativi rispetto ai componenti tradizionali in silicio. Questi dispositivi, che includono MOSFET SiC, diodi e moduli, sono progettati per operare in modo efficiente a tensioni superiori a 1.200V, rendendoli ideali per applicazioni esigenti come veicoli elettrici (EV), sistemi di energia rinnovabile, azionamenti di motori industriali e reti elettriche.

Il mercato globale dei dispositivi SiC ad alta tensione è destinato a una robusta crescita nel 2025, spinto dall’accelerazione delle tendenze di elettrificazione e dalla necessità urgente di efficienza energetica. Secondo Yole Group, si prevede che il mercato dei dispositivi SiC superi i 3 miliardi di dollari nel 2025, con i segmenti ad alta tensione che rappresentano una quota sostanziale grazie alla loro adozione negli inverter EV, nelle infrastrutture di ricarica rapida e negli inverter rinnovabili collegati alla rete. Le superiori proprietà del materiale SiC—come maggiore tensione di breakdown, maggiore conducibilità termica e minori perdite di commutazione—consentono ai progettisti di sistemi di raggiungere densità di potenza superiori, ridurre i requisiti di raffreddamento e migliorare l’affidabilità complessiva del sistema.

I principali attori del settore, tra cui Wolfspeed, STMicroelectronics, Infineon Technologies e onsemi, stanno investendo pesantemente per espandere la produzione di wafer SiC e la capacità di produzione di dispositivi per soddisfare la domanda in aumento. Ad esempio, STMicroelectronics ha annunciato investimenti significativi nella sua catena di approvvigionamento SiC, mirati a garantire una crescita a lungo termine e a soddisfare le esigenze dei clienti automobilistici e industriali.

Il settore automobilistico rimane il mercato finale più grande e in forte crescita per i dispositivi SiC ad alta tensione, in particolare mentre i costruttori automobilistici stanno passando ad architetture EV a 800V per consentire ricariche più veloci e autonomie più lunghe. Secondo IDC, l’adozione del SiC nei propulsori EV è destinata ad accelerare nel 2025, con i principali OEM che integrano inverter e caricatori a bordo basati su SiC. Inoltre, il settore delle energie rinnovabili sta aumentando l’uso dei dispositivi SiC negli inverter solari e nei convertitori per l’energia eolica per migliorare l’efficienza e ridurre le dimensioni del sistema.

In sintesi, il mercato dei dispositivi SiC ad alta tensione nel 2025 è caratterizzato da rapidi avanzamenti tecnologici, espansione della capacità produttiva e forte domanda dai settori automobilistico e delle energie rinnovabili. Queste tendenze sono destinate a guidare l’espansione continua del mercato e l’innovazione, posizionando il SiC come tecnologia fondamentale per l’elettronica di potenza di prossima generazione.

Tendenze Tecnologiche Chiave nei Dispositivi in Carburo di Silicio ad Alta Tensione

I dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione sono all’avanguardia dell’innovazione nell’elettronica di potenza, offrendo vantaggi significativi rispetto ai componenti tradizionali in silicio in termini di efficienza, prestazioni termiche e gestione della tensione. Man mano che il mercato matura nel 2025, diverse tendenze tecnologiche chiave stanno plasmando lo sviluppo e l’adozione dei dispositivi SiC ad alta tensione nei settori come i veicoli elettrici (EV), l’energia rinnovabile e i sistemi di energia industriale.

• Avanzamenti nella Tecnologia dei Wafer da 200 mm: La transizione da wafer SiC da 150 mm a 200 mm sta accelerando, spinta dalla necessità di una maggiore produttività e minori costi di produzione. I principali produttori stanno investendo in linee di produzione per wafer da 200 mm, che consentono maggiori rendimenti e economie di scala migliorate. Questo cambiamento dovrebbe ridurre significativamente il costo per ampere dei dispositivi SiC, rendendoli più competitivi rispetto alle alternative in silicio (Wolfspeed).
• Scoperte nelle Architetture dei Dispositivi: Innovazioni come MOSFET a trincea e strutture a cascode impilate stanno migliorando le prestazioni dei dispositivi SiC ad alta tensione. Queste architetture offrono minore resistenza in ON, tensioni di blocco più elevate (fino a 3,3 kV e oltre) e migliorata affidabilità, critiche per applicazioni esigenti come le infrastrutture di rete e gli inverter di trazione (STMicroelectronics).
• Integrazione di Controllo Digitale e Analogico: L’integrazione di driver di gate avanzati e circuiti di controllo digitali consente un funzionamento più preciso ed efficiente dei dispositivi SiC ad alta tensione. Questa tendenza supporta lo sviluppo di moduli di potenza intelligenti (IPM) che combinano MOSFET SiC con caratteristiche di rilevamento e protezione integrate, semplificando la progettazione del sistema e migliorando la sicurezza (Infineon Technologies AG).
• Affidabilità e Standard di Qualificazione Migliorati: Man mano che i dispositivi SiC penetrano nei settori mission-critical, i produttori si concentrano su test di affidabilità rigorosi e conformità a standard internazionali come AEC-Q101 per le applicazioni automobilistiche. Tecnologie di imballaggio migliorate, inclusi argento sinterizzato e substrati ceramici avanzati, stanno ulteriormente aumentando la robustezza dei dispositivi e la gestione termica (onsemi).
• Espansione nei Segmenti di Ultra-Alta Tensione: Lo sviluppo di dispositivi SiC con tensioni superiori a 10 kV sta aprendo nuove opportunità nella trasmissione di corrente continua ad alta tensione (HVDC) e nei sistemi di energia rinnovabile su larga scala. Questi moduli SiC ad ultra-alta tensione promettono di ridurre le dimensioni, il peso e le perdite energetiche rispetto alle soluzioni in silicio tradizionali (Cree, Inc.).

Collettivamente, queste tendenze tecnologiche stanno guidando l’evoluzione rapida e l’adozione più ampia dei dispositivi SiC ad alta tensione, posizionandoli come un pilastro dell’elettronica di potenza di prossima generazione nel 2025 e oltre.

Panorama Competitivo e Attori Principali

Il panorama competitivo per i dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione nel 2025 è caratterizzato da innovazione rapida, partnership strategiche e investimenti significativi da parte di giganti dei semiconduttori consolidati e società specializzate in tecnologia SiC. Il mercato è spinto dalla crescente domanda di elettronica di potenza efficiente nei veicoli elettrici (EV), nei sistemi di energia rinnovabile e nelle applicazioni industriali, dove i dispositivi SiC offrono prestazioni superiori rispetto ai componenti in silicio tradizionali.

I principali attori che dominano il mercato dei dispositivi SiC ad alta tensione includono Infineon Technologies AG, onsemi, STMicroelectronics, Wolfspeed, Inc., e ROHM Co., Ltd.. Queste aziende hanno stabilito robuste catene di approvvigionamento, capacità produttive avanzate e ampi portafogli di proprietà intellettuale, permettendo loro di mantenere un vantaggio competitivo.

• Infineon Technologies AG ha ampliato il suo portafoglio di prodotti SiC e investito in nuovi stabilimenti produttivi, come il suo impianto di Kulim in Malesia, per affrontare la crescente domanda di MOSFET e diodi SiC ad alta tensione, in particolare nei settori automobilistico e industriale (Infineon Technologies AG).
• onsemi ha rafforzato la sua posizione attraverso l’integrazione verticale, assicurandosi una fornitura a lungo termine di substrati SiC e aumentando la produzione nel suo stabilimento nella Repubblica Ceca. Il portafoglio EliteSiC dell’azienda mira a segmenti in rapida crescita come gli inverter di trazione per EV e le infrastrutture di ricarica rapida (onsemi).
• STMicroelectronics continua a investire nella capacità SiC, concentrandosi sui clienti automobilistici e industriali. I suoi contratti di fornitura a lungo termine e le partnership con OEM automobilistici sottolineano il suo impegno a scalare l’adozione del SiC (STMicroelectronics).
• Wolfspeed, Inc. rimane un leader tecnologico, sfruttando la sua catena di approvvigionamento SiC end-to-end e il più grande impianto di materiali SiC del mondo in North Carolina. Il focus dell’azienda sulle piattaforme a 800V e superiori la posiziona in prima linea nelle applicazioni di prossima generazione per veicoli elettrici e reti (Wolfspeed, Inc.).
• ROHM Co., Ltd. ha ampliato la sua offerta di dispositivi SiC e approfondito le collaborazioni con partner automobilistici e industriali, mirando ad accelerare la commercializzazione dei moduli SiC ad alta tensione (ROHM Co., Ltd.).

L’ambiente competitivo è ulteriormente influenzato dai nuovi entranti, joint venture e iniziative regionali, in particolare in Asia e Europa, mentre governi e stakeholder industriali cercano di localizzare le catene di approvvigionamento SiC e ridurre la dipendenza dalle tecnologie in silicio tradizionali. Di conseguenza, si prevede che il mercato dei dispositivi SiC ad alta tensione nel 2025 rimarrà dinamico, con attori principali che sfruttano scala, innovazione e alleanze strategiche per catturare opportunità emergenti.

Previsioni di Crescita del Mercato (2025–2030): CAGR, Analisi dei Ricavi e dei Volumi

Il mercato dei dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione è destinato a una robusta espansione tra il 2025 e il 2030, spinto dall’adozione crescente nei veicoli elettrici (EV), nei sistemi di energia rinnovabile e nell’elettrica industriale. Secondo le proiezioni di Yole Group, si prevede che il mercato globale dei dispositivi SiC raggiunga un tasso di crescita annuale composto (CAGR) di circa il 30% durante questo periodo, con i segmenti ad alta tensione (≥1,2 kV) che superano il mercato complessivo del SiC grazie al loro ruolo critico in applicazioni a elevata efficienza e potenza.

Le previsioni di ricavo indicano che il segmento dei dispositivi SiC ad alta tensione supererà i 6 miliardi di dollari entro il 2030, rispetto a un stimato di 1,5 miliardi di dollari nel 2025. Questo aumento è attribuito alla crescente domanda di MOSFET e diodi SiC negli inverter di trazione EV, nelle infrastrutture di ricarica rapida e negli inverter rinnovabili collegati alla rete. MarketsandMarkets prevede che il settore automobilistico rimarrà il principale contributore ai ricavi, rappresentando oltre il 60% delle vendite di dispositivi SiC ad alta tensione entro il 2030, poiché gli OEM stanno passando a architetture a 800V e superiori per migliorare l’efficienza e l’autonomia.

In termini di volume, le spedizioni di dispositivi SiC ad alta tensione sono previste crescere da circa 25 milioni di unità nel 2025 a oltre 120 milioni di unità entro il 2030. Questa crescita di volume è sostenuta dall’elettrificazione rapida dei trasporti e dalla scalabilità delle installazioni di energia rinnovabile, in particolare in Cina, Europa e Nord America. OMICS International evidenzia che la regione Asia-Pacifico guiderà sia in termini di ricavi che di volume, spinta da politiche governative aggressive e investimenti in modernizzazione della rete e veicoli elettrici.

• CAGR (2025–2030): ~30% per dispositivi SiC ad alta tensione
• Ricavi (2030): >6 miliardi di dollari (da ~1,5 miliardi di dollari nel 2025)
• Volume (2030): >120 milioni di unità (da ~25 milioni di unità nel 2025)

In generale, il mercato dei dispositivi SiC ad alta tensione è destinato a una crescita esponenziale, con avanzamenti tecnologici, espansioni della catena di approvvigionamento e supporto politico che agiscono come fattori chiave per l’accelerazione di entrambi i ricavi e volumi fino al 2030.

Analisi del Mercato Regionale: Nord America, Europa, Asia-Pacifico e Resto del Mondo

Il mercato globale dei dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione sta vivendo una robusta crescita, con dinamiche regionali plasmate da livelli variabili di industrializzazione, elettrificazione e supporto politico. Nel 2025, Nord America, Europa, Asia-Pacifico e Resto del Mondo (RoW) presentano ciascuno opportunità e sfide distinte per l’adozione dei dispositivi SiC.

Il Nord America rimane un innovatore chiave, sostenuto da forti investimenti nei veicoli elettrici (EV), energia rinnovabile e modernizzazione della rete. Gli Stati Uniti, in particolare, beneficiano della presenza di produttori di SiC leader e di un settore automobilistico maturo. Gli incentivi federali e i mandati a livello statale per l’energia pulita stanno accelerando l’implementazione di elettronica di potenza basata su SiC negli EV e negli inverter solari. Secondo SEMI, la domanda di dispositivi SiC in Nord America dovrebbe crescere a un CAGR superiore al 30% fino al 2025, con applicazioni automobilistiche e industriali che guidano la crescita.

In Europa ci sono obiettivi di decarbonizzazione aggressivi e un forte focus sul trasporto elettrificato. Il pacchetto “Fit for 55” dell’Unione Europea e le politiche nazionali stanno stimolando investimenti nelle infrastrutture EV e nell’integrazione delle energie rinnovabili, entrambi favorevoli ai dispositivi SiC ad alta tensione per la loro efficienza e prestazioni termiche. Gli OEM automobilistici principali e i fornitori Tier 1 stanno sempre più collaborando con i fornitori di tecnologia SiC. Yole Group riporta che la quota di mercato dei dispositivi SiC in Europa dovrebbe raggiungere il 25% dei ricavi globali entro il 2025, con Germania, Francia e i paesi nordici come principali motori di crescita.

• La regione Asia-Pacifico è la più grande e in più rapida crescita, guidata da Cina, Giappone e Corea del Sud. Il dominio della Cina nella produzione di EV e i suoi aggressivi piani di modernizzazione della rete stanno alimentando una domanda massiccia di dispositivi SiC. I produttori locali stanno aumentando la capacità, e i sussidi governativi stanno supportando sia l’offerta che la domanda. Giappone e Corea del Sud stanno sfruttando il SiC per l’automazione industriale e le ferrovie ad alta velocità. Secondo IC Insights, si prevede che l’Asia-Pacifico rappresenti oltre il 50% delle spedizioni globali di dispositivi SiC nel 2025.
• I mercati del Resto del Mondo (RoW), inclusi America Latina e Medio Oriente, sono nelle fasi iniziali di adozione del SiC. La crescita è guidata principalmente da progetti di energia rinnovabile e mercati emergenti per i veicoli elettrici. Sebbene i volumi rimangano modesti, i cambiamenti nelle politiche e gli investimenti infrastrutturali dovrebbero gradualmente aumentare la penetrazione dei dispositivi SiC.

In sintesi, mentre l’Asia-Pacifico guida in termini di volume, il Nord America e l’Europa sono fondamentali per l’innovazione e le applicazioni ad alto valore, preparando il terreno per un mercato dei dispositivi SiC ad alta tensione dinamico e diversificato a livello regionale nel 2025.

Sfide, Rischi e Barriere all’Entrata nel Mercato

Il mercato dei dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione nel 2025 affronta un panorama complesso di sfide, rischi e barriere all’entrata che plasmano le sue dinamiche competitive e la traiettoria di crescita. Sebbene la tecnologia SiC offra vantaggi significativi rispetto al silicio tradizionale—come maggiore efficienza, maggiore conducibilità termica e la capacità di operare a tensioni più elevate—diversi fattori ostacolano l’adozione diffusa e l’ingresso di nuovi attori di mercato.

Sfide Tecniche e di Produzione

• Qualità del Materiale e Rendimento: Produrre wafer SiC di alta qualità con difetti minimi rimane un ostacolo significativo. La densità di difetti nei substrati SiC è più alta rispetto al silicio, portando a minori rese e costi aumentati. Processi di produzione avanzati sono necessari per migliorare la qualità dei wafer, il che richiede un notevole investimento in R&S e competenza tecnica (Cree | Wolfspeed).
• Affidabilità del Dispositivo: Garantire l’affidabilità a lungo termine dei dispositivi SiC ad alta tensione è critico, soprattutto per le applicazioni automobilistiche e di rete. Problemi come l’affidabilità dell’ossido di gate e la degradazione sotto alti campi elettrici rappresentano rischi continui (STMicroelectronics).

Barriere ai Costi

• Alti Costi di Produzione: Il costo dei wafer SiC e della fabbricazione dei dispositivi è significativamente più alto rispetto al silicio, sia a causa delle spese per le materie prime che dei passaggi di lavorazione complessi. Questa sovrapremio limita l’adozione nei segmenti sensibili al prezzo e rappresenta una barriera per i nuovi entranti che non dispongono di economie di scala (Yole Group).
• Spesa per Capitale: Stabilire impianti di produzione di dispositivi SiC richiede un investimento di capitale sostanziale in attrezzature specializzate e infrastruttura di sala pulita, aumentando ulteriormente la soglia di ingresso (Infineon Technologies).

Rischi di Mercato ed Ecosistema

• Vincoli della Catena di Approvvigionamento: La catena di approvvigionamento SiC è ancora in fase di maturazione, con fornitori limitati per substrati di alta qualità ed epitassia. Qualsiasi interruzione può influenzare la disponibilità dei dispositivi e la loro prezzi (Oxford Economics).
• Barriere alla Proprietà Intellettuale (IP): I principali attori detengono ampi portafogli di proprietà intellettuale, rendendo difficile per i nuovi entranti innovare senza violare brevetti esistenti (onsemi).
• Cicli di Qualificazione del Cliente: I dispositivi SiC ad alta tensione, specialmente per le applicazioni automobilistiche e industriali, richiedono processi di qualificazione lunghi e rigorosi, ritardando il time-to-market per i nuovi entranti (Renesas Electronics Corporation).

In sintesi, sebbene il mercato dei dispositivi SiC ad alta tensione offra un potenziale di crescita sostanziale, è caratterizzato da elevate barriere tecniche, finanziarie e normative che favoriscono gli attori consolidati e dissuadono i nuovi entranti nel 2025.

Opportunità e Raccomandazioni Strategiche

Il mercato dei dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione nel 2025 è pronto per una significativa espansione, trainata dall’adozione crescente di veicoli elettrici (EV), sistemi di energia rinnovabile e elettronica di potenza industriale. Le superiori proprietà del SiC—come maggiore tensione di breakdown, maggiore conducibilità termica e minori perdite di commutazione rispetto al silicio tradizionale—stanno abilitando nuove applicazioni e benchmark di prestazione in questi settori.

Opportunità:

• Veicoli Elettrici e Infrastruttura di Ricarica: Il cambiamento globale verso l’elettrificazione sta intensificando la domanda di MOSFET e diodi SiC ad alta tensione nei propulsori EV e nelle stazioni di ricarica rapida. I dispositivi SiC consentono maggiore efficienza e compattezza negli inverter e nei caricatori a bordo, sostenendo direttamente gli obiettivi dei costruttori automobilistici per una maggiore autonomia e una ricarica più rapida (STMicroelectronics).
• Integrazione delle Energie Rinnovabili: La capacità del SiC di gestire alte tensioni e temperature lo rende ideale per gli inverter solari e i convertitori per turbine eoliche, dove efficienza e affidabilità sono fondamentali. Con la crescita delle installazioni rinnovabili globali, cresce anche il mercato indirizzabile per soluzioni basate su SiC (Infineon Technologies).
• Applicazioni Industriali e di Rete: I dispositivi SiC ad alta tensione stanno diventando sempre più utilizzati in azionamenti di motori industriali, alimentatori senza interruzioni (UPS) e infrastrutture di smart grid, dove offrono risparmi energetici e miniaturizzazione del sistema (Wolfspeed).

Raccomandazioni Strategiche:

• Investire nell’Integrazione Verticale: Le aziende dovrebbero garantire la fornitura di wafer SiC e investire in epitassia interna e fabbricazione di dispositivi per mitigare i rischi della catena di approvvigionamento e controllare i costi, poiché le limitazioni dell’offerta rimangono una sfida (onsemi).
• Concentrarsi su Soluzioni Specifiche per l’Applicazione: Adattare le caratteristiche dei dispositivi SiC per applicazioni target—come l’affidabilità di livello automobilistico o le classifiche di tensione a livello di rete—può differenziare le offerte e catturare segmenti di mercato premium.
• Collaborare lungo la Catena del Valore: Le partnership strategiche con costruttori automobilistici, integratori di energie rinnovabili e OEM industriali possono accelerare le vittorie progettuali e garantire l’allineamento con i requisiti tecnici in evoluzione.
• Espandere la R&S per Dispositivi di Prossima Generazione: L’innovazione continua nelle architetture dei dispositivi (ad es., MOSFET a trincea, imballaggi avanzati) sarà critica per mantenere la leadership in prestazioni e affrontare le nuove applicazioni ad alta tensione.

Prospettive Future: Applicazioni Emergenti e Proiezioni a Lungo Termine

Guardando al 2025 e oltre, le prospettive future per i dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione sono caratterizzate da una rapida espansione in applicazioni emergenti e solide proiezioni di crescita a lungo termine. Le superiori proprietà del SiC—come maggiore tensione di breakdown, maggiore conducibilità termica e minori perdite di commutazione—stanno guidando la sua adozione in settori dove efficienza, densità di potenza e affidabilità sono fondamentali.

Una delle applicazioni emergenti più significative è nei propulsori dei veicoli elettrici (EV) e nell’infrastruttura di ricarica. Man mano che i costruttori automobilistici accelerano la transizione verso l’elettrificazione, gli inverter e i caricatori a bordo basati su SiC sono sempre più preferiti per la loro capacità di ridurre le perdite energetiche e consentire ricariche più veloci. Secondo STMicroelectronics, i dispositivi SiC possono migliorare l’autonomia degli EV fino al 10% e ridurre i tempi di ricarica, rendendoli un facilitatore critico per i veicoli di prossima generazione.

I sistemi di energia rinnovabile, in particolare gli inverter solari e i convertitori per turbine eoliche, sono anch’essi pronti a beneficiare della tecnologia SiC ad alta tensione. La capacità di operare a tensioni e temperature più elevate consente sistemi di conversione di potenza più compatti, efficienti e affidabili. Infineon Technologies prevede che l’adozione del SiC nelle applicazioni solari e di accumulo energetico accelererà man mano che gli operatori di rete richiederanno maggiore efficienza e un costo totale di proprietà inferiore.

Le applicazioni industriali, inclusi azionamenti di motori, alimentatori senza interruzioni (UPS) e trasmissioni in corrente continua ad alta tensione (HVDC), rappresentano un’altra frontiera di crescita. Si prevede che il deployment dei dispositivi SiC in questi settori migliorerà le prestazioni del sistema e ridurrà i costi di manutenzione, in particolare in ambienti difficili o ad alta domanda.

Gli analisti di mercato prevedono una robusta crescita a lungo termine per il mercato dei dispositivi SiC ad alta tensione. Yole Group stima che il mercato globale dei dispositivi SiC supererà i 6 miliardi di dollari entro il 2027, con i segmenti ad alta tensione (sopra i 1.200V) che rappresenteranno una quota significativa grazie al loro uso crescente nei settori automobilistico, industriale ed energetico. Anche la catena di approvvigionamento si sta evolvendo, con attori principali come onsemi e Wolfspeed che investono pesantemente nella produzione di wafer SiC e nella fabbricazione di dispositivi per soddisfare la domanda prevista.

In sintesi, il futuro dei dispositivi SiC ad alta tensione è caratterizzato da diversificazione in nuove applicazioni, avanzamenti tecnologici e forte slancio di mercato. Poiché le industrie danno priorità all’efficienza energetica e alla sostenibilità, il SiC è destinato a svolgere un ruolo fondamentale nella transizione globale verso sistemi elettrificati e alimentati da energie rinnovabili.

Fonti & Riferimenti

• Wolfspeed
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies
• IDC
• Cree, Inc.
• ROHM Co., Ltd.
• STMicroelectronics
• MarketsandMarkets
• OMICS International
• IC Insights
• Oxford Economics