Raport na temat rynku urządzeń na bazie węglika krzemu o wysokim napięciu w 2025 roku: czynniki wzrostu, innowacje technologiczne i prognozy strategiczne do 2030 roku

• Streszczenie wykonawcze & przegląd rynku
• Kluczowe trendy technologiczne w urządzeniach węglika krzemu o wysokim napięciu
• Krajobraz konkurencyjny i wiodące firmy
• Prognozy wzrostu rynku (2025–2030): CAGR, analiza przychodów i wolumenów
• Analiza rynku regionalnego: Ameryka Północna, Europa, Azja-Pacyfik oraz reszta świata
• Wyzwania, ryzyka i bariery wejścia na rynek
• Możliwości i rekomendacje strategiczne
• Perspektywy na przyszłość: nowe zastosowania i długoterminowe prognozy
• Źródła & odniesienia

Streszczenie wykonawcze & przegląd rynku

Urządzenia na bazie węglika krzemu (SiC) o wysokim napięciu szybko zmieniają krajobraz elektroniki mocy, oferując znaczące zalety w porównaniu do tradycyjnych komponentów opartych na krzemie. Te urządzenia, w tym MOSFET-y SiC, diody i moduły, zaprojektowane są do efektywnego działania przy napięciach zwykle powyżej 1,200V, co czyni je idealnymi do wymagających zastosowań, takich jak pojazdy elektryczne (EV), systemy energii odnawialnej, napędy silników przemysłowych oraz sieci energetyczne.

Globalny rynek urządzeń SiC o wysokim napięciu jest przygotowany na dynamiczny rozwój w 2025 roku, napędzany rosnącymi trendami elektryfikacyjnymi oraz pilną potrzebą efektywności energetycznej. Według Yole Group, rynek urządzeń SiC ma szansę przekroczyć 3 miliardy dolarów w 2025 roku, przy czym segmenty o wysokim napięciu będą miały znaczący udział ze względu na ich zastosowanie w inwerterach EV, infrastrukturze szybkiego ładowania oraz inwerterach zasilanych energią odnawialną podłączonych do sieci. Wyjątkowe właściwości materiałowe SiC — takie jak wyższe napięcie przebicia, większa przewodność cieplna i niższe straty przełączania — umożliwiają projektantom systemów osiągnięcie wyższych gęstości mocy, zmniejszenie wymagań chłodzenia oraz poprawę ogólnej niezawodności systemu.

Kluczowi gracze na rynku, w tym Wolfspeed, STMicroelectronics, Infineon Technologies oraz onsemi, znacznie inwestują w rozwój produkcji wafli SiC i zdolności produkcyjnych urządzeń, aby sprostać rosnącemu popytowi. Na przykład, STMicroelectronics ogłosił znaczne inwestycje w łańcuch dostaw SiC, dążąc do zapewnienia długoterminowego wzrostu i zaspokojenia potrzeb klientów branży motoryzacyjnej i przemysłowej.

Sektor motoryzacyjny pozostaje największym i najszybciej rozwijającym się rynkiem końcowym dla urządzeń SiC o wysokim napięciu, szczególnie w miarę jak producenci samochodów przechodzą na architekturę EV o napięciu 800V, co umożliwia szybsze ładowanie i dłuższy zasięg. Według IDC, przyjęcie SiC w napędach EV ma przyspieszyć w 2025 roku, a wiodący producenci OEM integrują inwertery i ładowarki pokładowe oparte na SiC. Dodatkowo, sektor energii odnawialnej coraz częściej wdraża urządzenia SiC w inwerterach słonecznych i konwerterach wiatrowych, aby zwiększyć efektywność i zmniejszyć rozmiar systemów.

Podsumowując, rynek urządzeń SiC o wysokim napięciu w 2025 roku charakteryzuje się szybkim postępem technologicznym, rozszerzeniem zdolności produkcyjnych oraz silnym popytem ze strony sektora motoryzacyjnego i energii odnawialnej. Oczekuje się, że te trendy będą napędzać dalszy rozwój rynku i innowacji, umiejscawiając SiC jako kluczową technologię przyszłej elektroniki mocy.

Kluczowe trendy technologiczne w urządzeniach węglika krzemu o wysokim napięciu

Urządzenia węglika krzemu (SiC) o wysokim napięciu są na czołowej pozycji innowacji w elektronice mocy, oferując znaczące korzyści w porównaniu do tradycyjnych komponentów opartych na krzemie w zakresie efektywności, wydajności cieplnej i obsługi napięć. W miarę dojrzewania rynku w 2025 roku, kilka kluczowych trendów technologicznych kształtuje rozwój i przyjęcie wysokonapięciowych urządzeń SiC w różnych branżach, takich jak pojazdy elektryczne (EV), energia odnawialna i systemy zasilania przemysłowego.

• Postępy w technologii wafli 200 mm: Przejście z wafli SiC o średnicy 150 mm na 200 mm przyspiesza, napędzane potrzebą wyższej wydajności i niższych kosztów produkcji. Wiodący producenci inwestują w linie produkcyjne wafli 200 mm, co pozwala na większe plony urządzeń i poprawę ekonomiki skali. Oczekuje się, że ta zmiana znacznie obniży koszt na amper urządzeń SiC, czyniąc je bardziej konkurencyjnymi w porównaniu do alternatyw krzemowych (Wolfspeed).
• Przełomy w architekturze urządzeń: Innowacje takie jak MOSFET-y typu trench i złożone struktury są ulepszają wydajność wysokonapięciowych urządzeń SiC. Te architektury oferują niższy opór w stanie włączonym, wyższe napięcia blokujące (do 3.3 kV i więcej) oraz poprawioną niezawodność, co jest krytyczne dla wymagających zastosowań, takich jak infrastruktura sieciowa i inwertery trakcyjne (STMicroelectronics).
• Integracja cyfrowej i analogowej kontroli: Integracja zaawansowanych sterowników bramkowych i obwodów kontroli cyfrowej umożliwia dokładniejsze i efektywniejsze działanie urządzeń SiC przy wysokich napięciach. Trend ten wspiera rozwój inteligentnych modułów mocy (IPM), które łączą MOSFET-y SiC z wbudowanymi funkcjami czujników i ochrony, upraszczając projektowanie systemów i poprawiając bezpieczeństwo (Infineon Technologies AG).
• Poprawiona niezawodność i standardy kwalifikacji: W miarę jak urządzenia SiC penetrują sektory krytyczne dla misji, producenci koncentrują się na rygorystycznych testach niezawodności i zgodności z międzynarodowymi standardami, takimi jak AEC-Q101 dla zastosowań motoryzacyjnych. Udoskonalone technologie pakowania, w tym srebro spiekane i zaawansowane podłoża ceramiczne, dodatkowo zwiększają odporność urządzeń i zarządzanie cieplne (onsemi).
• Ekspansja w segmenty ultra-wysokiego napięcia: Rozwój urządzeń SiC o napięciu 10 kV i wyższym otwiera nowe możliwości w transmisji wysokiego napięcia prądu stałego (HVDC) i dużych systemach energii odnawialnej. Te moduły SiC o ultra-wysokim napięciu obiecują zmniejszyć rozmiar systemu, wagę i straty energetyczne w porównaniu do tradycyjnych rozwiązań opartych na krzemie (Cree, Inc.).

Te trendy technologiczne napędzają szybki rozwój i szersze przyjęcie wysokonapięciowych urządzeń SiC, umiejscawiając je jako fundament elektroniki mocy nowej generacji w 2025 roku i poza nim.

Krajobraz konkurencyjny i wiodące firmy

Krajobraz konkurencyjny dla urządzeń węglika krzemu (SiC) o wysokim napięciu w 2025 roku charakteryzuje się szybkim innowacjami, strategicznymi partnerstwami i znacznymi inwestycjami zarówno ze strony ustalonych gigantów półprzewodników, jak i wyspecjalizowanych firm technologicznych SiC. Rynek napędzany jest rosnącym zapotrzebowaniem na efektywną elektronikę mocy w pojazdach elektrycznych (EV), systemach energii odnawialnej i zastosowaniach przemysłowych, gdzie urządzenia SiC oferują lepszą wydajność w porównaniu do tradycyjnych komponentów krzemowych.

Kluczowi gracze dominujący na rynku urządzeń SiC o wysokim napięciu to Infineon Technologies AG, onsemi, STMicroelectronics, Wolfspeed, Inc. oraz ROHM Co., Ltd.. Firmy te zbudowały solidne łańcuchy dostaw, zaawansowane zdolności produkcyjne i rozbudowane portfele własności intelektualnej, co pozwala im na utrzymanie przewagi konkurencyjnej.

• Infineon Technologies AG rozszerzył swoją ofertę produktów SiC i zainwestował w nowe zakłady produkcyjne, takie jak fabryka w Kulim w Malezji, aby sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na MOSFET-y i diody SiC o wysokim napięciu, szczególnie w sektorach motoryzacyjnym i przemysłowym (Infineon Technologies AG).
• onsemi wzmocnił swoją pozycję poprzez integrację pionową, zabezpieczając długoterminowe dostawy substratów SiC i zwiększając produkcję w swojej fabryce w Czechach. Portfolio EliteSiC firmy koncentruje się na szybko rozwijających się segmentach, takich jak inwertery trakcyjne EV i infrastruktura szybkiego ładowania (onsemi).
• STMicroelectronics nadal inwestuje w zdolności SiC, koncentrując się na niedoborze motoryzacyjnym i przemysłowym. Długoterminowe umowy dostaw i partnerstwa z producentami OEM w branży motoryzacyjnej podkreślają jego zaangażowanie w rozwój przyjęcia SiC (STMicroelectronics).
• Wolfspeed, Inc. pozostaje liderem technologicznym, wykorzystując swój kompleksowy łańcuch dostaw SiC i największy na świecie zakład materiałów SiC w Północnej Karolinie. Skupienie firmy na platformach o napięciu 800V i wyższym stawia ją na czołowej pozycji w zastosowaniach EV i w inżynierii sieci next-gen (Wolfspeed, Inc.).
• ROHM Co., Ltd. rozszerzył swoją ofertę urządzeń SiC i pogłębił współpracę z partnerami motoryzacyjnymi oraz przemysłowymi, dążąc do przyspieszenia komercjalizacji modułów SiC o wysokim napięciu (ROHM Co., Ltd.).

Środowisko konkurencyjne jest dodatkowo kształtowane przez nowych graczy, wspólne przedsięwzięcia oraz regionalne inicjatywy, szczególnie w Azji i Europie, ponieważ rządy i interesariusze przemysłowi dążą do lokalizacji łańcuchów dostaw SiC i zmniejszenia zależności od tradycyjnych technologii krzemowych. W rezultacie, rynek urządzeń SiC o wysokim napięciu w 2025 roku ma pozostać dynamiczny, z wiodącymi graczami wykorzystującymi skale, innowacje i strategiczne sojusze w celu pozyskania wschodzących możliwości.

Prognozy wzrostu rynku (2025–2030): CAGR, analiza przychodów i wolumenów

Rynek urządzeń węglika krzemu (SiC) o wysokim napięciu jest przygotowany na solidną ekspansję w latach 2025–2030, napędzaną przyspieszonym przyjęciem w pojazdach elektrycznych (EV), systemach energii odnawialnej i elektronice mocy przemysłowej. Według prognoz Yole Group, globalny rynek urządzeń SiC ma osiągnąć średnioroczną stopę wzrostu (CAGR) na poziomie około 30% w tym okresie, przy czym segmenty o wysokim napięciu (≥1,2 kV) mają przewyższać ogólny rynek SiC ze względu na swoją kluczową rolę w wysoko efektywnych aplikacjach o dużych mocach.

Prognozy przychodów wskazują, że segment urządzeń SiC o wysokim napięciu przekroczy 6 miliardów dolarów do 2030 roku, w porównaniu z szacowanymi 1,5 miliarda dolarów w 2025 roku. Wzrost ten przypisuje się rosnącemu zapotrzebowaniu na MOSFET-y i diody SiC w inwerterach trakcyjnych EV, infrastrukturze szybkiego ładowania oraz inwerterach energii odnawialnej podłączonych do sieci. MarketsandMarkets przewiduje, że sektor motoryzacyjny pozostanie dominującym źródłem przychodów, odpowiadając za ponad 60% sprzedaży urządzeń SiC o wysokim napięciu do 2030 roku, ponieważ producenci OEM przechodzą na architektury o napięciu 800V i wyższym, aby poprawić efektywność i zasięg.

Pod względem wolumenu, przewiduje się wzrost wysyłek urządzeń SiC o wysokim napięciu z około 25 milionów jednostek w 2025 roku do ponad 120 milionów jednostek do 2030 roku. Wzrost ten wynika z szybkiej elektryfikacji transportu i zwiększenia liczby instalacji energii odnawialnej, szczególnie w Chinach, Europie i Ameryce Północnej. OMICS International podkreśla, że region Azji-Pacyfiku będzie liderem zarówno pod względem przychodów, jak i wolumenów, napędzanym agresywnymi politykami rządowymi i inwestycjami w nowoczesne pojazdy elektryczne oraz modernizację sieci.

• CAGR (2025–2030): ~30% dla urządzeń SiC o wysokim napięciu
• Przychody (2030): >6 miliardów dolarów (w porównaniu do ~1,5 miliarda dolarów w 2025 roku)
• Wolumen (2030): >120 milionów jednostek (w porównaniu do ~25 milionów jednostek w 2025 roku)

Ogólnie rzecz biorąc, rynek urządzeń SiC o wysokim napięciu szykuje się na eksponencjalny wzrost, przy czym postępy technologiczne, rozszerzenia łańcucha dostaw oraz wsparcie polityczne będą kluczowymi czynnikami umożliwiającymi przyspieszenie zarówno przychodów, jak i wolumenów do 2030 roku.

Analiza rynku regionalnego: Ameryka Północna, Europa, Azja-Pacyfik oraz reszta świata

Globalny rynek urządzeń węglika krzemu (SiC) o wysokim napięciu doświadcza silnego wzrostu, a dynamika regionalna kształtowana jest przez różne poziomy industrializacji, elektryfikacji i wsparcia politycznego. W 2025 roku Ameryka Północna, Europa, Azja-Pacyfik oraz reszta świata (RoW) oferują różne możliwości i wyzwania dla przyjęcia urządzeń SiC.

Ameryka Północna pozostaje kluczowym innowatorem, napędzanym silnymi inwestycjami w pojazdy elektryczne (EV), energię odnawialną i modernizację sieci. Stany Zjednoczone, w szczególności, korzystają z obecności wiodących producentów SiC oraz rozwiniętego sektora motoryzacyjnego. Federalne zachęty oraz mandaty na szczeblu stanowym dotyczące czystej energii przyspieszają wdrażanie elektroniki mocy opartej na SiC w EV i inwerterach słonecznych. Według SEMI, zapotrzebowanie na urządzenia SiC w Ameryce Północnej ma wzrosnąć o CAGR przekraczającym 30% do 2025 roku, przy czym zastosowania motoryzacyjne i przemysłowe będą dominować.

Europa charakteryzuje się agresywnymi celami dekarbonizacyjnymi i silnym naciskiem na elektryfikację transportu. Pakiet „Fit for 55” Unii Europejskiej oraz polityki krajowe stymulują inwestycje w infrastrukturę EV i integrację odnawialnych źródeł energii, które sprzyjają zastosowaniu wysokonapięciowych urządzeń SiC ze względu na ich efektywność i wydajność cieplną. Główni producenci OEM i dostawcy Tier 1 coraz częściej współpracują z dostawcami technologii SiC. Grupa Yole raportuje, że udział rynku urządzeń SiC w Europie ma osiągnąć 25% globalnych przychodów do 2025 roku, przy czym Niemcy, Francja i kraje nordyckie będą głównymi silnikami wzrostu.

• Azja-Pacyfik jest największym i najszybciej rozwijającym się regionem, prowadzone przez Chiny, Japonię i Koreę Południową. Dominacja Chin w produkcji EV oraz agresywne plany modernizacji sieci wzbudzają ogromne zapotrzebowanie na urządzenia SiC. Lokalne firmy produkujące zwiększają zdolności produkcyjne, a subsydia rządowe wspierają zarówno strony popytu, jak i podaży. Japonia i Korea Południowa wykorzystują SiC do automatyzacji przemysłowej i szybkiej kolei. Według IC Insights, Azja-Pacyfik ma stanowić ponad 50% globalnych dostaw urządzeń SiC w 2025 roku.
• Rynki R rest of World (RoW), w tym Ameryka Łacińska i Bliski Wschód, znajdują się na wcześniejszych etapach przyjęcia SiC. Wzrost napędzany jest głównie przez projekty energii odnawialnej oraz rozwijające się rynki EV. Choć wolumeny pozostają skromne, zmiany polityczne oraz inwestycje w infrastrukturę mają stopniowo zwiększać penetrację urządzeń SiC.

Podsumowując, podczas gdy region Azji-Pacyfiku prowadzi pod względem wolumenu, Ameryka Północna i Europa są kluczowe dla innowacji i zastosowań o wysokiej wartości, kształtując dynamiczny i regionalnie zróżnicowany rynek urządzeń SiC o wysokim napięciu w 2025 roku.

Wyzwania, ryzyka i bariery wejścia na rynek

Rynek urządzeń węglika krzemu (SiC) o wysokim napięciu w 2025 roku staje przed złożonym krajobrazem wyzwań, ryzyk i barier wejścia, które kształtują jego dynamikę konkurencyjną i trajektorię wzrostu. Chociaż technologia SiC oferuje znaczące zalety w porównaniu do tradycyjnego krzemu — takie jak wyższa efektywność, większa przewodność cieplna i zdolność działania przy wyższych napięciach — kilka czynników hamuje szerokie przyjęcie i nowe wejścia na rynek.

Wyzwania techniczne i produkcyjne

• Jakość materiałów i plon: Produkcja wafli SiC o wysokiej jakości z minimalnymi defektami pozostaje znacznym wyzwaniem. Gęstość defektów w podłożach SiC jest wyższa niż w krzemie, co prowadzi do niższych plonów i wyższych kosztów. Zaawansowane procesy produkcyjne są wymagane do poprawy jakości wafli, co wymaga znacznych inwestycji w badania i rozwój oraz ekspertyzy technicznej (Cree | Wolfspeed).
• Nieziarnistość urządzenia: Zapewnienie długoterminowej niezawodności wysokonapięciowych urządzeń SiC jest kluczowe, zwłaszcza dla zastosowań w przemyśle motoryzacyjnym i energetycznym. Problemy takie jak niezawodność tlenku bramki i degradacja w warunkach wysokich pól elektrycznych stawiają stałe ryzyko (STMicroelectronics).

Bariery kosztowe

• Wysokie koszty produkcji: Koszt wafli SiC i wytwarzania urządzeń jest znacznie wyższy w porównaniu do krzemu, zarówno z powodu wydatków na surowce, jak i skomplikowanych etapów przetwarzania. Ta premia kosztowa ogranicza przyjęcie w segmentach wrażliwych na cenę i stanowi barierę dla nowych uczestników, którzy nie mają odpowiednich gospodarek skali (Yole Group).
• Wydatki kapitałowe: Ustanowienie zakładów produkcyjnych dla urządzeń SiC wymaga znacznego kapitału inwestycyjnego w specjalistyczny sprzęt i infrastrukturę czystych pomieszczeń, co dodatkowo podnosi próg wejścia (Infineon Technologies).

Ryzyka rynkowe i ekosystemowe

• Ograniczenia łańcucha dostaw: Łańcuch dostaw SiC nadal się rozwija, z ograniczoną liczbą dostawców wysokiej jakości substratów i epitaksji. Każde zakłócenie może wpłynąć na dostępność i ceny urządzeń (Oxford Economics).
• Bariery własności intelektualnej (IP): Wiodący gracze posiadają rozbudowane portfele własności intelektualnej, co utrudnia nowym uczestnikom wprowadzanie innowacji bez naruszania istniejących patentów (onsemi).
• Cykle kwalifikacyjne klientów: Urządzenia SiC o wysokim napięciu, szczególnie w zastosowaniach motoryzacyjnych i przemysłowych, wymagają długoterminowych i rygorystycznych procesów kwalifikacyjnych, co opóźnia czas wejścia na rynek dla nowych uczestników (Renesas Electronics Corporation).

Podsumowując, chociaż rynek urządzeń SiC o wysokim napięciu oferuje znaczny potencjał wzrostu, charakteryzuje się wysokimi barierami technicznymi, finansowymi i regulacyjnymi, które faworyzują ustalone firmy i odstraszają nowych uczestników w 2025 roku.

Możliwości i rekomendacje strategiczne

Rynek urządzeń węglika krzemu (SiC) o wysokim napięciu w 2025 roku szykuje się na znaczną ekspansję, napędzaną przyspieszonym przyjęciem pojazdów elektrycznych (EV), systemów energii odnawialnej oraz przemysłowej elektroniki mocy. Wyjątkowe właściwości SiC — takie jak wyższe napięcie przebicia, większa przewodność cieplna oraz mniejsze straty przełączania w porównaniu do tradycyjnego krzemu — umożliwiają nowe zastosowania i normy wydajności w tych sektorach.

Możliwości:

• Pojazdy elektryczne i infrastruktura ładowania: Globalna zmiana w kierunku elektryfikacji wzmacnia zapotrzebowanie na wysokonapięciowe MOSFET-y i diody SiC w napędach EV oraz w stacjach szybkiego ładowania. Urządzenia SiC umożliwiają wyższą efektywność i kompaktowość zasilaczy i inwerterów pokładowych, wspierając cele producentów samochodów na dłuższy zasięg i szybsze ładowanie (STMicroelectronics).
• Integracja odnawialnych źródeł energii: Zdolność SiC do obsługi wysokich napięć i temperatur czyni go idealnym do inwerterów słonecznych i konwerterów turbin wiatrowych, gdzie efektywność i niezawodność mają kluczowe znaczenie. W miarę jak rośnie liczba instalacji energii odnawialnej na świecie, rośnie również rynek rozwiązań opartych na SiC (Infineon Technologies).
• Zastosowania przemysłowe i infrastruktura sieciowa: Urządzenia SiC o wysokim napięciu są coraz częściej wykorzystywane w napędach silników przemysłowych, zasilaczach awaryjnych (UPS) oraz w infrastrukturze inteligentnych sieci, gdzie dostarczają oszczędności energii i miniaturyzację systemów (Wolfspeed).

Rekomendacje strategiczne:

• Inwestowanie w integrację pionową: Firmy powinny zabezpieczyć dostawy wafli SiC i inwestować w produkcję epitaksjalną oraz wytwarzanie urządzeń, aby złagodzić ryzyko łańcucha dostaw i kontrolować koszty, ponieważ ograniczenia podaży pozostają wyzwaniem (onsemi).
• Skoncentrować się na rozwiązaniach specyficznych dla aplikacji: Dostosowanie cech urządzeń SiC do docelowych aplikacji — takich jak niezawodność klasy motoryzacyjnej czy napięcia na poziomie sieci — może wyróżnić ofertę i zdobyć segmenty rynku wysokiej wartości.
• Współpracować wzdłuż łańcucha wartości: Strategic partnerships with automakers, renewable energy integrators, and industrial OEMs can accelerate design wins and ensure alignment with evolving technical requirements.
• Rozwijać badania i rozwój dla urządzeń nowej generacji: Kontynuacja innowacji w architekturze urządzeń (np. MOSFET-y trench, zaawansowane pakowanie) będzie kluczowa dla utrzymania przewagi wydajności oraz odpowiedzi na wschodzące zastosowania o wysokim napięciu.

Perspektywy na przyszłość: nowe zastosowania i długoterminowe prognozy

Patrząc w przyszłość do 2025 roku i później, przewidywania dotyczące urządzeń na bazie węglika krzemu (SiC) o wysokim napięciu są zdominerowane przez szybki rozwój w nowych aplikacjach oraz solidne perspektywy długoterminowego wzrostu. Wyjątkowe właściwości materiałowe SiC — takie jak wyższe napięcie przebicia, większa przewodność cieplna oraz niższe straty przełączania — napędzają jego przyjęcie w sektorach, gdzie efektywność, gęstość mocy i niezawodność są kluczowe.

Jednym z najbardziej znaczących nowych zastosowań jest w napędach i infrastrukturze ładowania pojazdów elektrycznych (EV). W miarę jak producenci samochodów przyspieszają przejście na elektryfikację, inwertery i ładowarki pokładowe oparte na SiC są coraz częściej preferowane ze względu na ich zdolność do zmniejszenia strat energetycznych oraz umożliwienia szybszego ładowania. Według STMicroelectronics, urządzenia SiC mogą poprawić zasięg EV o nawet 10% oraz skrócić czasy ładowania, co czyni je kluczowym czynnikiem dla pojazdów nowej generacji.

Systemy energii odnawialnej, szczególnie inwertery słoneczne i konwertery turbin wiatrowych, również będą korzystać z wysokonapięciowej technologii SiC. Zdolność do działania przy wyższych napięciach i temperaturach pozwala na bardziej kompaktowe, efektywne i niezawodne systemy konwersji energii. Infineon Technologies prognozuje, że przyjęcie SiC w aplikacjach słonecznych i magazynowania energii przyspieszy, ponieważ operatorzy sieci domagają się wyższej efektywności i niższych całkowitych kosztów użytkowania.

Zastosowania przemysłowe, w tym napędy silników, zasilacze awaryjne (UPS) oraz przesył wysokiego napięcia prądu stałego (HVDC), stanowią kolejny obszar wzrostu. Wdrożenie urządzeń SiC w tych dziedzinach ma poprawić wydajność systemu i obniżyć koszty konserwacji, zwłaszcza w surowych lub wymagających warunkach.

Analitycy rynkowi prognozują silny długoterminowy wzrost rynku urządzeń SiC o wysokim napięciu. Grupa Yole szacuje, że globalny rynek urządzeń SiC przekroczy 6 miliardów dolarów do 2027 roku, a segmenty o wysokim napięciu (powyżej 1,200V) będą miały znaczący udział z uwagi na ich coraz szersze zastosowanie w sektorach motoryzacyjnym, przemysłowym i energetycznym. Łańcuch dostaw również ewoluuje, a tacy kluczowi gracze jak onsemi i Wolfspeed intensywnie inwestują w produkcję wafli SiC i wytwarzanie urządzeń, aby sprostać oczekiwanemu popytowi.

Podsumowując, przyszłość urządzeń SiC o wysokim napięciu charakteryzuje się dywersyfikacją w nowe aplikacje, postępami technologicznymi oraz silnym momentum rynkowym. W miarę jak przemysły kładą nacisk na efektywność energetyczną i zrównoważony rozwój, SiC ma szansę odegrać kluczową rolę w globalnej transformacji na systemy zasilane elektrycznością i odnawialnymi źródłami energii.

Źródła & odniesienia

• Wolfspeed
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies
• IDC
• Cree, Inc.
• ROHM Co., Ltd.
• STMicroelectronics
• MarketsandMarkets
• OMICS International
• IC Insights
• Oxford Economics